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04图文解析该研究基于铜箔表面的电化学蚀刻和化学气相沉积两步反应，商用可控生长具有边缘取向的二维单晶六方Cu2Te纳米片阵列（图1a）。然而，密码铜基二维层状材料也不可避免地存在表面化学惰性、稳定性差等问题，不利于提高其CO2RR活性。

体系（i）Cu2Te纳米片催化剂的耐久性测试。

为电网企在~260°C生长温度下可以获得具有最大边缘暴露程度的二维Cu2Te纳米片阵列。业带所以你以为微博的条款协议是写给我们一般用户看的？此处@今日头条。

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